引线框架复合材料

    本公司为满足顾客的需求，开发出一系列的晶体管和集成电路的引线框架材料，具有导电导热性好、尺寸精度高、耐热性优异、耐氧化、耐腐蚀性能，膨胀系数与硅片、玻璃和陶瓷的膨胀系数匹配。
    产品种类：
Al/4J42(4J29)、Al/C1020（C19400）、AgCu/4J29(4J42)、Cu/4J29(4J42)
    产品特点：
1、 Al/4J42(4J29)复合材料用作低熔点玻璃封装的集成电路引线框架，Al/ C1020（C19400）材料用IGBT大功率模块上，Al用于SiAl丝焊接，4J42或4J29与低熔点的玻璃匹配封装，C1020或C19400用于导电作用，可满足集成电路小型化发展的要求；
2、 AgCu/4J29(4J42)复合材料用于与陶瓷封装的集成电路和晶体振荡器引线框架，利用AgCu焊料将引线框架4J29(4J42)与金属化的陶瓷实现封装，可解决采用AgCu焊料片对位困难，焊接效率低等问题，可满足自动化生产要求；
3、 Cu/4J29(4J42)复合材料用于半导体分立元件和冷压焊石英谐振子的引线框架，气密性可达10-10以上数量级，简化了工艺，减少了制造工序，可节约1/3的可伐合金，节省能源。

微型电池用复合材料

    用途：小型电子装置、照相机、电子计算器和相关电子产品的微型电池外壳。
    产品种类：Cu/OCr18Ni9、Ni/OCr18Ni9
    产品特性：此材料既有不锈钢的强度、加工性和耐蚀性，同时被覆层的无氧铜和纯镍又可以满足耐蚀性、导电性、强度和深冲引伸性等要求。

半导体支持电极用复合材料

    用途：半导体元器件的支持电极
    产品种类：Cu/因瓦合金（FeNi36）/Cu
    产品特性：半导体元器件的心脏部位主要由硅片和取出信号的铜电极构成，通常为了防止由于温升导致膨胀系数变化而产生故障问题，需要在硅片和铜电极之间采用膨胀系数与硅片相近，热传导性好的钼或钨作为热膨胀的缓冲材料。但是钼和钨昂贵，组装作业复杂，采用因瓦合金（FeNi36）双面覆铜材料可以代替钼和钨，同时又避免了钼或钨的缺点。